FGA50S110P Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench Field Stop
Gate Charge: 195 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A
Power - Max: 300 W
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 181+ | 110.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA50S110P Fairchild Semiconductor
Description: INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench Field Stop, Gate Charge: 195 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A, Power - Max: 300 W.
Інші пропозиції FGA50S110P за ціною від 118.17 грн до 240.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FGA50S110P | Виробник : onsemi / Fairchild |
IGBT Transistors 1100 V, 50 A Shorted-anode IGBT |
на замовлення 264 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| FGA50S110P | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA50S110P - IGBT, 3 Pin(s) tariffCode: 85411000 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 175°C usEccn: EAR99 Produktpalette: TUK SGACK902S Keystone Coupler SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
FGA50S110P | Виробник : ON Semiconductor |
Trans IGBT Chip N-CH 1100V 50A 300000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
 |
FGA50S110P | Виробник : onsemi |
Description: IGBT TRENCH/FS 1100V 50A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 50A Supplier Device Package: TO-3PN IGBT Type: Trench Field Stop Gate Charge: 195 nC Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1100 V Current - Collector Pulsed (Icm): 120 A Power - Max: 300 W |
товар відсутній |