FGA70N30TDTU Fairchild Semiconductor
Виробник: Fairchild SemiconductorDescription: IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 21 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-3PN
IGBT Type: Trench
Gate Charge: 125 nC
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A
Power - Max: 201 W
на замовлення 660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 171+ | 117.37 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGA70N30TDTU Fairchild Semiconductor
Description: IGBT, 40A, 300V, N-CHANNEL, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 21 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.5V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-3PN, IGBT Type: Trench, Gate Charge: 125 nC, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 160 A, Power - Max: 201 W.
Інші пропозиції FGA70N30TDTU за ціною від 122.07 грн до 122.07 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FGA70N30TDTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGA70N30TDTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|