на замовлення 1726 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 724.87 грн |
10+ | 646.36 грн |
100+ | 452.84 грн |
250+ | 405.55 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH50N3 onsemi / Fairchild
Description: IGBT PT 300V 75A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: PT, Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns, Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off), Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V, Gate Charge: 180 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A, Power - Max: 463 W.
Інші пропозиції FGH50N3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
---|---|---|---|---|---|
FGH50N3 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 300V 75A 463000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||
FGH50N3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 75A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||
FGH50N3 | Виробник : onsemi |
Description: IGBT PT 300V 75A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.4V @ 15V, 30A Supplier Device Package: TO-247-3 IGBT Type: PT Td (on/off) @ 25°C: 20ns/135ns Switching Energy: 130µJ (on), 92µJ (off) Test Condition: 180V, 30A, 5Ohm, 15V Gate Charge: 180 nC Current - Collector (Ic) (Max): 75 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector Pulsed (Icm): 240 A Power - Max: 463 W |
товар відсутній |
||
FGH50N3 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 300V; 75A; 463W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 300V Collector current: 75A Power dissipation: 463W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 240A Mounting: THT Gate charge: 228nC Kind of package: tube |
товар відсутній |