FGH60T65SHD-F155 onsemi
Виробник: onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 349 W
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A
Supplier Device Package: TO-247-3
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns
Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off)
Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
Gate Charge: 102 nC
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 120 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A
Power - Max: 349 W
на замовлення 889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 335.09 грн |
30+ | 255.9 грн |
120+ | 219.35 грн |
510+ | 182.98 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FGH60T65SHD-F155 onsemi
Description: IGBT TRENCH FS 650V 120A TO247-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 34.6 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 60A, Supplier Device Package: TO-247-3, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 26ns/87ns, Switching Energy: 1.69mJ (on), 630µJ (off), Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V, Gate Charge: 102 nC, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 120 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 180 A, Power - Max: 349 W.
Інші пропозиції FGH60T65SHD-F155 за ціною від 166.9 грн до 364.52 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FGH60T65SHD-F155 | Виробник : onsemi / Fairchild | IGBT Transistors 650 V, 60 A Field Stop Trench IGBT |
на замовлення 370 шт: термін постачання 126-135 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FGH60T65SHD-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349000mW 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGH60T65SHD-F155 | Виробник : ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 349W 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FGH60T65SHD-F155 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FGH60T65SHD-F155 - IGBT, 650 V, 60 A FIELD STOP TRENCH SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
товар відсутній |