FJA4310OTU ON Semiconductor
на замовлення 885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 128.65 грн |
10+ | 127.41 грн |
25+ | 118.07 грн |
50+ | 112.67 грн |
100+ | 98.82 грн |
250+ | 93.94 грн |
500+ | 92.7 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJA4310OTU ON Semiconductor
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3P, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A, Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V, Frequency - Transition: 30MHz, Supplier Device Package: TO-3P, Part Status: Obsolete, Current - Collector (Ic) (Max): 10 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V, Power - Max: 100 W.
Інші пропозиції FJA4310OTU за ціною від 94.48 грн до 270.45 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FJA4310OTU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
на замовлення 885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FJA4310OTU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJA4310OTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 10 A, 100 W, TO-3P, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 100W Anzahl der Pins: 3Pin(s) euEccn: NLR DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false Übergangsfrequenz: 30MHz rohsPhthalatesCompliant: YES Betriebstemperatur, max.: 150°C usEccn: EAR99 Dauer-Kollektorstrom: 10A |
на замовлення 162 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
FJA4310OTU | Виробник : ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 10A 100000mW 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FJA4310OTU | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN 140V 10A TO3P Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 3A, 4V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-3P Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 100 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
FJA4310OTU | Виробник : onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
товар відсутній |