FJB102TM ON Semiconductor
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 12+ | 49.8 грн |
| 13+ | 47.16 грн |
| 25+ | 32.26 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FJB102TM ON Semiconductor
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE, Qualifikation: -, Dauer-Kollektorstrom: 8A, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 80W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 80W, Bauform - HF-Transistor: TO-263AB, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, DC-Kollektorstrom: 8A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FJB102TM за ціною від 30.83 грн до 95.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 8A usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Verlustleistung: 80W Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJB102TM | Виробник : onsemi / Fairchild |
Darlington Transistors 100V Pwr Darl Xstr 0A NPN Tr. |
на замовлення 3101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FJB102TM | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FJB102TM - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 100 V, 80 W, 8 A, TO-263AB, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 80W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-263AB Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 8A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (14-Jun-2023) |
на замовлення 385 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
на замовлення 89 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : onsemi |
Description: TRANS NPN DARL 100V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 80mA, 8A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 4V Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 80 W |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
FJB102TM Код товару: 171831 |
Транзистори > Біполярні NPN |
товар відсутній
|
|||||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans Darlington NPN 100V 8A 80000mW 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FJB102TM | Виробник : ONSEMI |
Category: NPN SMD Darlington transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; Darlington; 100V; 8A; 80W; D2PAK Mounting: SMD Case: D2PAK Collector-emitter voltage: 100V Collector current: 8A Type of transistor: NPN Power dissipation: 80W Polarisation: bipolar Kind of transistor: Darlington |
товар відсутній |