Продукція > ONSEMI > FJI5603DTU
FJI5603DTU

FJI5603DTU ONSEMI

fji5603d-d.pdf Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Mounting: THT
Case: I2PAK
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Current gain: 6...46
Frequency: 5MHz
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 800V
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+96.66 грн
10+ 84.84 грн
12+ 69.8 грн
31+ 66 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FJI5603DTU ONSEMI

Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA, Mounting Type: Through Hole, Transistor Type: NPN, Operating Temperature: 150°C (TJ), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A, Current - Collector Cutoff (Max): 100µA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V, Frequency - Transition: 5MHz, Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK), Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 3 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V, Power - Max: 100 W.

Інші пропозиції FJI5603DTU за ціною від 48.34 грн до 136.6 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FJI5603DTU FJI5603DTU Виробник : onsemi fji5603d-d.pdf Description: TRANS NPN 800V 3A I2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 200mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
Frequency - Transition: 5MHz
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800 V
Power - Max: 100 W
на замовлення 1536 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+118.44 грн
50+ 91.98 грн
100+ 75.68 грн
500+ 60.1 грн
1000+ 50.99 грн
Мінімальне замовлення: 3
FJI5603DTU FJI5603DTU Виробник : onsemi / Fairchild FJI5603D_D-2313593.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Silicon
на замовлення 1028 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+129.29 грн
10+ 106.72 грн
100+ 72.77 грн
500+ 61.89 грн
1000+ 49.87 грн
5000+ 48.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FJI5603DTU FJI5603DTU Виробник : ONSEMI fji5603d-d.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 800V; 3A; 100W; I2PAK
Mounting: THT
Case: I2PAK
Kind of package: tube
Type of transistor: NPN
Current gain: 6...46
Frequency: 5MHz
Collector current: 3A
Collector-emitter voltage: 800V
Power dissipation: 100W
Polarisation: bipolar
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+136.6 грн
3+ 120.46 грн
10+ 101.81 грн
12+ 83.76 грн
31+ 79.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
FJI5603DTU FJI5603DTU Виробник : ON Semiconductor fji5603d-d.pdf Trans GP BJT NPN 800V 3A 100000mW 3-Pin(3+Tab) I2PAK Tube
товар відсутній