FQA90N08 onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 214W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 224.6 грн |
| 10+ | 181.58 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQA90N08 onsemi
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 214W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQA90N08
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQA90N08 | Виробник : ON Semiconductor / Fairchild |
MOSFET 80V N-Channel QFET |
на замовлення 441 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
| FQA90N08 |
|
на замовлення 9900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||
|
|
FQA90N08 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 80V 90A TO3PN Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 214W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3PN Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|
 |
FQA90N08 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 63.5A; Idm: 360A; 214W; TO3PN Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 80V Drain current: 63.5A Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 214W Case: TO3PN Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 16mΩ Mounting: THT Gate charge: 110nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |