Продукція > FAIRCHILD SEMICONDUCTOR > FQA9N90-F109
FQA9N90-F109

FQA9N90-F109 Fairchild Semiconductor

ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
на замовлення 398 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
117+170.95 грн
Мінімальне замовлення: 117
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQA9N90-F109 Fairchild Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 240W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PN, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQA9N90-F109

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQA9N90-F109 Виробник : ON Semiconductor ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 4944 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Виробник : ON Semiconductor fqa9n90_f109-d.pdf Trans MOSFET N-CH 900V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-3P Tube
товар відсутній
FQA9N90-F109 FQA9N90-F109 Виробник : onsemi ONSM-S-A0003591058-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 900V 8.6A TO3PN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3Ohm @ 4.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PN
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 900 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 72 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2700 pF @ 25 V
товар відсутній