Продукція > ONSEMI > FQAF13N80
FQAF13N80

FQAF13N80 onsemi

fqaf13n80-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
105+190.91 грн
Мінімальне замовлення: 105
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQAF13N80 onsemi

Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-3P-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-3PF, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQAF13N80 за ціною від 242.79 грн до 428.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQAF13N80 FQAF13N80 Виробник : onsemi / Fairchild FQAF13N80_D-1809746.pdf MOSFET 800V N-Channel QFET
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+428.86 грн
10+ 377.55 грн
25+ 317.65 грн
100+ 269.04 грн
FQAF13N80 Виробник : ONSEMI 2907413.pdf Description: ONSEMI - FQAF13N80 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 8 A, 0.58 ohm, TO-3PF
Drain-Source-Spannung Vds: 800
Dauer-Drainstrom Id: 8
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 120
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.58
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+391.45 грн
10+ 316.75 грн
100+ 242.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQAF13N80 FQAF13N80 Виробник : ON Semiconductor fqaf13n80jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 800V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
товар відсутній
FQAF13N80 FQAF13N80 Виробник : onsemi fqaf13n80-d.pdf Description: MOSFET N-CH 800V 8A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQAF13N80 FQAF13N80 Виробник : ONSEMI fqaf13n80-d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5.1A; Idm: 32A; 120W; TO3PF
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5.1A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 120W
Case: TO3PF
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.75Ω
Mounting: THT
Gate charge: 88nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній