FQB1P50TM ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -0.95A; 63W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -0.95A
Power dissipation: 63W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -0.95A; 63W; D2PAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -500V
Drain current: -0.95A
Power dissipation: 63W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 10.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 14nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 63.5 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB1P50TM ONSEMI
Category: SMD P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -500V; -0.95A; 63W; D2PAK, Type of transistor: P-MOSFET, Technology: QFET®, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -500V, Drain current: -0.95A, Power dissipation: 63W, Case: D2PAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 10.5Ω, Mounting: SMD, Gate charge: 14nC, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhanced.
Інші пропозиції FQB1P50TM за ціною від 67.26 грн до 111.88 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQB1P50TM | Виробник : onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK |
на замовлення 780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQB1P50TM | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 500V P-Channel QFET |
на замовлення 662 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||
FQB1P50TM | Виробник : onsemi | Description: MOSFET P-CH 500V 1.5A D2PAK |
товар відсутній |