на замовлення 13835 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 111.6 грн |
| 10+ | 99.31 грн |
| 100+ | 67.75 грн |
| 500+ | 55.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQB8P10TM onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 8A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 65W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: QFET, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQB8P10TM за ціною від 122.95 грн до 122.95 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQB8P10TM | Виробник : ONSEMI |
 Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FQB8P10TM | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
на замовлення 44020800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
|
FQB8P10TM | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
на замовлення 44020800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
|
FQB8P10TM | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQB8P10TM - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 8 A, 0.41 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: QFET productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41ohm SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
|
|
FQB8P10TM | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: MOSFET P-CH 100V 8A D2PAK |
на замовлення 20800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| FQB8P10TM | Виробник : FAIRCHILD |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
| FQB8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
|
на замовлення 780 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||
 |
FQB8P10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -32A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.7A On-state resistance: 530mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQB8P10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -5.7A; Idm: -32A; 65W; D2PAK Type of transistor: P-MOSFET Power dissipation: 65W Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Gate charge: 15nC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: -32A Mounting: SMD Case: D2PAK Drain-source voltage: -100V Drain current: -5.7A On-state resistance: 530mΩ |
товар відсутній |