FQD10N20CTM ON Semiconductor
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD10N20CTM ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V, Power Dissipation (Max): 50W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQD10N20CTM за ціною від 37.62 грн до 37.62 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FQD10N20CTM | Виробник : ON-Semicoductor |
 N-MOSFET 200V 7.8A 50W 360mΩ FQD10N20CTM Fairchild TFQD10n20ctmкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
 |
FQD10N20CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQD10N20CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||
| FQD10N20CTM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 200V 7.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
||||||
 |
FQD10N20CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
FQD10N20CTM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 200V 7.8A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3.9A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
 |
FQD10N20CTM | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-CH/200V/10A/QFET |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQD10N20CTM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 5A; 50W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 5A Power dissipation: 50W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 26nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |