Продукція > ONSEMI > FQD7N20LTM
FQD7N20LTM

FQD7N20LTM ONSEMI

2907425.pdf Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+35.19 грн
500+ 23.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQD7N20LTM ONSEMI

Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQD7N20LTM за ціною від 18.71 грн до 66.71 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : onsemi / Fairchild FQD7N20L_D-2313648.pdf MOSFET N-Channel QFET MOSFET 200V, 5.5A, 750mO
на замовлення 1827 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+60.68 грн
10+ 47.56 грн
100+ 31.37 грн
500+ 26.17 грн
1000+ 22.31 грн
2500+ 19.84 грн
5000+ 18.71 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ONSEMI 2907425.pdf Description: ONSEMI - FQD7N20LTM - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5.5 A, 0.59 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 45W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: QFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.59ohm
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+66.71 грн
14+ 54.38 грн
100+ 35.19 грн
500+ 23.24 грн
Мінімальне замовлення: 12
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3671375337975692fqd7n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ON Semiconductor 3671375337975692fqd7n20l-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 5.5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : onsemi FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : onsemi FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQD7N20LTM FQD7N20LTM Виробник : ONSEMI FAIR-S-A0000011403-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 3.48A; Idm: 22A; 45W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 3.48A
Pulsed drain current: 22A
Power dissipation: 45W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 780mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
товар відсутній