на замовлення 44984 шт:
термін постачання 259-268 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 6+ | 56.96 грн |
| 10+ | 48.66 грн |
| 100+ | 29.36 грн |
| 500+ | 24.51 грн |
| 1000+ | 21.46 грн |
| 2500+ | 19.2 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQD8P10TM onsemi / Fairchild
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-252AA, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQD8P10TM за ціною від 20.81 грн до 20.81 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQD8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||
| FQD8P10TM | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 6.6A 100V 44W 0.53Ω FQD8P10TM TFQD8p10tm кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 32 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||
|
|
FQD8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQD8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FQD8P10TM | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 100V 6.6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
товар відсутній |
|||||
 |
FQD8P10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.2A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||
 |
FQD8P10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQD8P10TM | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 100V 6.6A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||
|
|
FQD8P10TM | Виробник : ONSEMI |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -4.2A; 44W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -100V Drain current: -4.2A Power dissipation: 44W Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 530mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |