FQL40N50

FQL40N50 ON Semiconductor


fql40n50.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 171 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+393.66 грн
10+ 375.35 грн
100+ 342.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQL40N50 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-264-3, TO-264AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 460W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-264-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQL40N50 за ціною від 338.77 грн до 589.42 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQL40N50 FQL40N50 Виробник : ON Semiconductor fql40n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+404.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQL40N50 FQL40N50 Виробник : ON Semiconductor fql40n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 171 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
28+423.94 грн
29+ 404.22 грн
100+ 368.75 грн
Мінімальне замовлення: 28
FQL40N50 FQL40N50 Виробник : onsemi / Fairchild FQL40N50_D-2313936.pdf MOSFET 500V N-Channel QFET
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+519.23 грн
10+ 466.74 грн
100+ 344.09 грн
375+ 343.42 грн
1125+ 342.09 грн
2625+ 340.76 грн
5250+ 338.77 грн
FQL40N50 FQL40N50 Виробник : ONSEMI 2907429.pdf Description: ONSEMI - FQL40N50 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 40 A, 0.085 ohm, TO-264
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 40
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 460
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 460
Bauform - Transistor: TO-264
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.085
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.085
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+589.42 грн
5+ 540.99 грн
10+ 491.81 грн
50+ 447.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQL40N50 FQL40N50 Виробник : ON Semiconductor fql40n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQL40N50 Виробник : ON Semiconductor FAIRS46619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 10125 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQL40N50 FQL40N50 Виробник : ON Semiconductor fql40n50.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-264 Tube
товар відсутній
FQL40N50 FQL40N50 Виробник : onsemi FAIRS46619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 500V 40A TO264-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 460W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-264-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7500 pF @ 25 V
товар відсутній
FQL40N50 FQL40N50 Виробник : ONSEMI FAIRS46619-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 25A; Idm: 160A; 460W; TO264
Mounting: THT
Kind of package: tube
Case: TO264
On-state resistance: 0.11Ω
Pulsed drain current: 160A
Power dissipation: 460W
Gate charge: 200nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 25A
Kind of channel: enhanced
Drain-source voltage: 500V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
товар відсутній