на замовлення 2181 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 9+ | 38.4 грн |
| 10+ | 37.24 грн |
| 100+ | 22.43 грн |
| 500+ | 18.76 грн |
| 1000+ | 15.96 грн |
| 2000+ | 14.15 грн |
| 4000+ | 13.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQN1N50CTA onsemi / Fairchild
Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 380mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 890mW, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 890mW, Bauform - Transistor: TO-226AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції FQN1N50CTA за ціною від 15.3 грн до 41.19 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQN1N50CTA | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V |
на замовлення 3302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQN1N50CTA | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQN1N50CTA - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 380 mA, 4.6 ohm, TO-226AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 500V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 380mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 890mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 890mW Bauform - Transistor: TO-226AA Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 4.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.6ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 1955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
| FQN1N50CTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||
| FQN1N50CTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товар відсутній |
||||||||||||||
 |
FQN1N50CTA | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 500V 0.38A 3-Pin TO-92 Fan-Fold |
товар відсутній |
|||||||||||||
 |
FQN1N50CTA | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 3.04A Power dissipation: 2.08W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Gate charge: 6.4nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 2000 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FQN1N50CTA | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 380MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 380mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6Ohm @ 190mA, 10V Power Dissipation (Max): 890mW (Ta), 2.08W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 195 pF @ 25 V |
товар відсутній |
|||||||||||||
|
|
FQN1N50CTA | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 240mA; Idm: 3.04A; 2.08W; TO92 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 500V Drain current: 0.24A Pulsed drain current: 3.04A Power dissipation: 2.08W Case: TO92 Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 6Ω Mounting: THT Gate charge: 6.4nC Kind of package: Ammo Pack Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |