FQP10N20C

FQP10N20C Fairchild Semiconductor


FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
461+43.24 грн
Мінімальне замовлення: 461
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP10N20C Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V, Power Dissipation (Max): 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP10N20C за ціною від 38.39 грн до 114.21 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : ON Semiconductor 3671944219917866fqpf10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+72.56 грн
10+ 71.7 грн
25+ 68.59 грн
50+ 38.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : ON Semiconductor 3671944219917866fqpf10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 320 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
161+72.8 грн
168+ 69.65 грн
289+ 40.42 грн
Мінімальне замовлення: 161
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF10N20C_D-2314039.pdf MOSFET 200V N-Ch MOSFET
на замовлення 99 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+114.21 грн
10+ 101.85 грн
100+ 69.26 грн
500+ 56.74 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP10N20C Виробник : Fairchild FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 33924 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP10N20C Виробник : ON Semiconductor FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
на замовлення 980 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : ON Semiconductor 3671944219917866fqpf10n20c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 9.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : ONSEMI FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6A; Idm: 38A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : onsemi FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 200V 9.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 4.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 510 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP10N20C FQP10N20C Виробник : ONSEMI FAIRS45967-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 6A; Idm: 38A; 72W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 72W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Gate charge: 26nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній