FQP11N40C

FQP11N40C ON Semiconductor


fqpf11n40c-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 5381 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+65.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP11N40C ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 400V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 135W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції FQP11N40C за ціною від 26.23 грн до 161.77 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP11N40C FQP11N40C Виробник : ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+116.14 грн
10+ 81.37 грн
28+ 76.5 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP11N40C FQP11N40C Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0013296834-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP11N40C - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 10.5 A, 0.43 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 400V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.43ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 867 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+125.07 грн
10+ 92.87 грн
100+ 76.39 грн
500+ 62.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQP11N40C FQP11N40C Виробник : ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4469 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+134.94 грн
10+ 111.94 грн
100+ 88.94 грн
250+ 79.11 грн
500+ 66.95 грн
1000+ 59.88 грн
2500+ 57.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
FQP11N40C FQP11N40C Виробник : ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 4464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
86+137.02 грн
103+ 113.67 грн
130+ 90.31 грн
250+ 80.33 грн
500+ 67.98 грн
1000+ 60.81 грн
2500+ 58 грн
Мінімальне замовлення: 86
FQP11N40C FQP11N40C Виробник : onsemi FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 400V 10.5A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 5.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 135W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1090 pF @ 25 V
на замовлення 3566 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+143.71 грн
50+ 110.77 грн
100+ 91.14 грн
500+ 72.37 грн
1000+ 61.41 грн
2000+ 58.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQP11N40C FQP11N40C Виробник : onsemi / Fairchild FQPF11N40C_D-2313913.pdf MOSFET 400V N-Channel Advance Q-FET
на замовлення 1849 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+155.78 грн
10+ 120.54 грн
100+ 85.45 грн
250+ 84.12 грн
500+ 73.44 грн
1000+ 60.09 грн
3000+ 60.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP11N40C FQP11N40C Виробник : ONSEMI FQP11N40C.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6.6A; 135W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6.6A
Power dissipation: 135W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 530mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 35nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 98 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+161.77 грн
3+ 144.72 грн
10+ 97.64 грн
28+ 91.8 грн
500+ 88.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQP11N40C Виробник : Fairchild FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 48 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
48+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 48
FQP11N40C Виробник : Fairchild FAIRS45968-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw N-MOSFET 400V 10.5A 530mΩ 135W FQP11N40C Fairchild TFQP11n40c
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+26.23 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQP11N40C FQP11N40C Виробник : ON Semiconductor fqpf11n40c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 400V 10.5A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
товар відсутній