FQP20N06

FQP20N06 ON Semiconductor


fqp20n06jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+44.62 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP20N06 ON Semiconductor

Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 20, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 53, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 53, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: -, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048, SVHC: Lead (17-Jan-2022).

Інші пропозиції FQP20N06 за ціною від 46.7 грн до 141.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ON Semiconductor fqp20n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+46.7 грн
Мінімальне замовлення: 13
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ON Semiconductor fqp20n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
233+50.29 грн
Мінімальне замовлення: 233
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ON Semiconductor fqp20n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
191+61.5 грн
200+ 58.76 грн
250+ 56.4 грн
500+ 52.42 грн
Мінімальне замовлення: 191
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003585028-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - FQP20N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 20 A, 0.048 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 53
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 598 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+141.55 грн
10+ 114.59 грн
100+ 87.62 грн
500+ 66.69 грн
Мінімальне замовлення: 6
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : ON Semiconductor fqp20n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
на замовлення 910 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
FQP20N06 fqp20n06-d.pdf
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP20N06 Виробник : Fairchild Semiconductor fqp20n06-d.pdf Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : onsemi fqp20n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 20A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP20N06 FQP20N06 Виробник : onsemi / Fairchild FQP20N06_D-2313939.pdf MOSFET 60V N-Channel QFET
товар відсутній