FQP27P06 ONSEMI
Виробник: ONSEMICategory: THT P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -27A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 70mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 43nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 154 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 126.57 грн |
| 4+ | 106.4 грн |
| 10+ | 94.58 грн |
| 11+ | 77.19 грн |
| 29+ | 73.02 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQP27P06 ONSEMI
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 120W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQP27P06 за ціною від 62.69 грн до 168.51 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQP27P06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET P-CH 60V 27A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V |
на замовлення 814 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQP27P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 60V P-Channel QFET |
на замовлення 20288 шт: термін постачання 930-939 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
FQP27P06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -27A; TO220AB Type of transistor: P-MOSFET Technology: QFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -27A Case: TO220AB Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 70mΩ Mounting: THT Gate charge: 43nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 154 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQP27P06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQP27P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 27 A, 0.07 ohm, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: Y-EX Verlustleistung: 120W Anzahl der Pins: 3Pins euEccn: NLR Rds(on)-Prüfspannung: 10V hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.07ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Produktpalette: - |
на замовлення 515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQP27P06 | Виробник : ON-Semicoductor |
P-MOSFET 60V 0.07Ohm FQP27P06 TFQP27p06 кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 48 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
|
FQP27P06 Код товару: 197511 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
 |
FQP27P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQP27P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
товар відсутній |