FQP2P40


FQP2P40.pdf Виробник:

на замовлення 87090 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP2P40

Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V, Power Dissipation (Max): 63W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP2P40

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP2P40 FQP2P40 Виробник : ON Semiconductor fqp2p40.pdf Trans MOSFET P-CH 400V 2A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
FQP2P40 FQP2P40 Виробник : onsemi FQP2P40.pdf Description: MOSFET P-CH 400V 2A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 63W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP2P40 FQP2P40 Виробник : ON Semiconductor / Fairchild FQP2P40-1192222.pdf MOSFET 400V P-Channel QFET
товар відсутній