FQP4N60 FSC


FQP4N60.pdf Виробник: FSC
09+
на замовлення 1008 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQP4N60 FSC

Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 106W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQP4N60

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQP4N60 Виробник : FSC FQP4N60.pdf
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
FQP4N60 FQP4N60 Виробник : ON Semiconductor fqp4n60.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 4.4A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Rail
товар відсутній
FQP4N60 FQP4N60 Виробник : onsemi FQP4N60.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.2Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 106W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товар відсутній
FQP4N60 FQP4N60 Виробник : onsemi / Fairchild FQP4N60-1192263.pdf MOSFET 600V N-Channel QFET
товар відсутній