FQPF11N50CF ONSEMI
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 500
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 11
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: QFET FRFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 58.94 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF11N50CF ONSEMI
Description: ONSEMI - FQPF11N50CF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 11 A, 0.48 ohm, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 500, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 11, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48, Bauform - Transistor: TO-220F, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET FRFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.48, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.48, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQPF11N50CF за ціною від 63.16 грн до 199.67 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FQPF11N50CF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FQPF11N50CF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1841 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FQPF11N50CF | Виробник : Fairchild Semiconductor |
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V |
на замовлення 1985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FQPF11N50CF | Виробник : onsemi / Fairchild | MOSFET 500V N-Ch Adv Q-FET C-series (FRFET) |
на замовлення 363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||
FQPF11N50CF | Виробник : ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 500V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||
FQPF11N50CF | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 500V 11A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2055 pF @ 25 V |
товар відсутній |