на замовлення 417 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3+ | 103.73 грн |
| 10+ | 89.35 грн |
| 100+ | 69.64 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF11P06 onsemi
Category: THT P channel transistors, Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W, Type of transistor: P-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: -60V, Drain current: -6.08A, Pulsed drain current: -34.4A, Power dissipation: 30W, Case: TO220FP, Gate-source voltage: ±25V, On-state resistance: 0.175Ω, Mounting: THT, Gate charge: 17nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQPF11P06 за ціною від 58.4 грн до 111.88 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF11P06 | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 60V P-Channel QFET |
на замовлення 1732 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF11P06 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 8.6 A, 0.14 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 8.6 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 30 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 175 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 788 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
 |
FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.08A Pulsed drain current: -34.4A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||
 |
FQPF11P06 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 60V 8.6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
|
|
FQPF11P06 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -6.08A; Idm: -34.4A; 30W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -6.08A Pulsed drain current: -34.4A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±25V On-state resistance: 0.175Ω Mounting: THT Gate charge: 17nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |