FQPF5N50CYDTU

FQPF5N50CYDTU Fairchild Semiconductor


FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
на замовлення 34713 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
390+51.35 грн
Мінімальне замовлення: 390
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF5N50CYDTU Fairchild Semiconductor

Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 5, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 38W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF5N50CYDTU за ціною від 56.33 грн до 122.28 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : onsemi / Fairchild FQPF5N50C_D-2313714.pdf MOSFET 500V N-Channel QFET
на замовлення 3077 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+122.28 грн
10+ 109.02 грн
25+ 88.79 грн
100+ 76.11 грн
Мінімальне замовлення: 3
FQPF5N50CYDTU Виробник : ONSEMI 2907441.pdf Description: ONSEMI - FQPF5N50CYDTU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 500 V, 5 A, 1.14 ohm, TO-220F
Drain-Source-Spannung Vds: 500
Dauer-Drainstrom Id: 5
Qualifikation: -
Verlustleistung Pd: 38
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 38
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.14
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.14
SVHC: Lead (17-Jan-2022)
на замовлення 589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
7+112.34 грн
10+ 101.1 грн
100+ 81.63 грн
500+ 56.33 грн
Мінімальне замовлення: 7
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ON Semiconductor fqpf5n50cjp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 500V 5A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Tube
товар відсутній
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ONSEMI FQP5N50C, FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : onsemi FQP5N50C, FQPF5N50C.pdf Description: MOSFET N-CH 500V 5A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 625 pF @ 25 V
товар відсутній
FQPF5N50CYDTU FQPF5N50CYDTU Виробник : ONSEMI FQP5N50C, FQPF5N50C.pdf FAIRS27140-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 2.9A; Idm: 20A; 38W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 2.9A
Pulsed drain current: 20A
Power dissipation: 38W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 24nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
товар відсутній