на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 155.77 грн |
| 10+ | 142.08 грн |
| 25+ | 118.24 грн |
| 100+ | 105.62 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF65N06 onsemi / Fairchild
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V, Power Dissipation (Max): 56W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF65N06
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF65N06 | Виробник : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 60V 40A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|
 |
FQPF65N06 | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 40A TO220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2410 pF @ 25 V |
товар відсутній |