FQPF7P20 ON Semiconductor
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 53.58 грн |
| 2000+ | 52.86 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQPF7P20 ON Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V.
Інші пропозиції FQPF7P20 за ціною від 47.67 грн до 127.74 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQPF7P20 | Виробник : onsemi |
 Description: MOSFET P-CH 200V 5.2A TO220FPackaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 690mOhm @ 2.6A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220F-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 25 V |
на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
FQPF7P20 | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET 200V P-Channel QFET |
на замовлення 7874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| FQPF7P20 | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQPF7P20 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-220F Drain-Source-Spannung Vds: 200 Dauer-Drainstrom Id: 5 Qualifikation: - Verlustleistung Pd: 45 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 45 Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.54 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54 SVHC: Lead (10-Jun-2022) |
на замовлення 172 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| FQPF7P20 | Виробник : Fairchild |
|
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
| FQPF7P20 | Виробник : FAIRCHILD |
02+ |
на замовлення 510 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
 |
FQPF7P20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQPF7P20 | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET P-CH 200V 5.2A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
|||||||||||||||
 |
FQPF7P20 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -20.8A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
|||||||||||||||
|
|
FQPF7P20 | Виробник : ONSEMI |
Category: THT P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -200V; -3.3A; Idm: -20.8A; 45W Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -200V Drain current: -3.3A Pulsed drain current: -20.8A Power dissipation: 45W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 0.69Ω Mounting: THT Gate charge: 25nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |