FQPF85N06

FQPF85N06 ON Semiconductor


fqpf85n06jp-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 910 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+140.08 грн
10+ 126.92 грн
25+ 123.55 грн
100+ 110.48 грн
250+ 100.47 грн
500+ 94.81 грн
Мінімальне замовлення: 5
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQPF85N06 ON Semiconductor

Description: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 62W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220F-3, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±25V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQPF85N06 за ціною від 114.75 грн до 253.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQPF85N06 FQPF85N06 Виробник : ONSEMI FQP85N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.5A; 62W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+199.96 грн
3+ 166.21 грн
7+ 121.7 грн
19+ 114.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQPF85N06 FQPF85N06 Виробник : ONSEMI FQP85N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 37.5A; 62W; TO220FP
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: QFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 37.5A
Power dissipation: 62W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 10mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 112nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 37 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+239.96 грн
3+ 207.12 грн
7+ 146.04 грн
19+ 137.7 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQPF85N06 FQPF85N06 Виробник : onsemi / Fairchild FQPF85N06_D-1809690.pdf MOSFET 60V N-Channel QFET
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+253.14 грн
10+ 224.18 грн
25+ 189.6 грн
100+ 160.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
FQPF85N06 FQPF85N06 Виробник : ON Semiconductor fqpf85n06jp-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 53A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
FQPF85N06 FQPF85N06 Виробник : onsemi fqpf85n06-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 53A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 26.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 112 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4120 pF @ 25 V
товар відсутній