Продукція > ONSEMI / FAIRCHILD > FQU2N60CTU
FQU2N60CTU

FQU2N60CTU onsemi / Fairchild

FQU2N60C_D-1809791.pdf Виробник: onsemi / Fairchild
MOSFET 600V N-Channel Adv Q-FET C-Series
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+84.9 грн
10+ 75.47 грн
100+ 51.14 грн
500+ 42.26 грн
Мінімальне замовлення: 4
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис FQU2N60CTU onsemi / Fairchild

Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V, Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V.

Інші пропозиції FQU2N60CTU за ціною від 21.94 грн до 21.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
FQU2N60CTU Виробник : Fairchild fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail FQU2N60CTU TFQU2n60ctu
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
30+21.94 грн
Мінімальне замовлення: 30
FQU2N60CTU FQU2N60CTU Виробник : ON Semiconductor fqu2n60c-d.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 1.9A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
товар відсутній
FQU2N60CTU FQU2N60CTU Виробник : onsemi fqu2n60c-d.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 1.9A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 950mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 25 V
товар відсутній