на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 4+ | 90.74 грн |
| 10+ | 78.57 грн |
| 100+ | 61.23 грн |
| 500+ | 47.47 грн |
| 1000+ | 39.75 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU5N40TU onsemi
Category: THT N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.15A; Idm: 13.6A; 45W; IPAK, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Drain-source voltage: 400V, Drain current: 2.15A, Pulsed drain current: 13.6A, Power dissipation: 45W, Case: IPAK, Gate-source voltage: ±30V, On-state resistance: 1.6Ω, Mounting: THT, Gate charge: 13nC, Kind of package: tube, Kind of channel: enhanced, кількість в упаковці: 1 шт.
Інші пропозиції FQU5N40TU за ціною від 19.12 грн до 97.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU5N40TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
 MOSFET 400V N-Channel QFET |
на замовлення 4404 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| FQU5N40TU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU5N40TU - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 400 V, 3.4 A, 1.27 ohm, TO-251 Drain-Source-Spannung Vds: 400 Dauer-Drainstrom Id: 3.4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 45 Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.27 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||
| FQU5N40TU |
|
на замовлення 2030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||
 |
FQU5N40TU | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 400V 3.4A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товар відсутній |
|||||||||||
| FQU5N40TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.15A; Idm: 13.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.15A Pulsed drain current: 13.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||
| FQU5N40TU | Виробник : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 2.15A; Idm: 13.6A; 45W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 400V Drain current: 2.15A Pulsed drain current: 13.6A Power dissipation: 45W Case: IPAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 1.6Ω Mounting: THT Gate charge: 13nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
товар відсутній |