FQU8P10TU onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET P-CH 100V 6.6A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 530mOhm @ 3.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I-PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 9173 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 5+ | 63.59 грн |
| 10+ | 54.49 грн |
| 100+ | 42.47 грн |
| 500+ | 32.92 грн |
| 1000+ | 25.99 грн |
| 2000+ | 24.26 грн |
| 5000+ | 22.67 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FQU8P10TU onsemi
Description: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100, Dauer-Drainstrom Id: 6.6, hazardous: false, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 44, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 44, Bauform - Transistor: TO-251, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: QFET, Wandlerpolarität: p-Kanal, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 150, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41, SVHC: Lead (17-Jan-2022).
Інші пропозиції FQU8P10TU за ціною від 21.15 грн до 70.02 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FQU8P10TU | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - FQU8P10TU - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 6.6 A, 0.41 ohm, TO-251, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100 Dauer-Drainstrom Id: 6.6 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 44 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 euEccn: NLR Verlustleistung: 44 Bauform - Transistor: TO-251 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: QFET Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.41 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.41 SVHC: Lead (17-Jan-2022) |
на замовлення 1289 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
FQU8P10TU | Виробник : onsemi / Fairchild |
MOSFET -100V Single |
на замовлення 7243 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |