FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 515 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 10686.06 грн |
10+ | 9637.97 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS100R12KT4GBOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V, Dauer-Kollektorstrom: 100A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V, Verlustleistung Pd: 515W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 515W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EconoPACK 3, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 100A, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FS100R12KT4GBOSA1 за ціною від 10762.61 грн до 13400.99 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FS100R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Description: IGBT MOD 1200V 100A 515W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Three Phase Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 100A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 100 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 515 W Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.3 nF @ 25 V |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FS100R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FS100R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 59 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FS100R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FS100R12KT4GBOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS100R12KT4GBOSA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 100 A, 1.75 V, 515 W, 150 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V Dauer-Kollektorstrom: 100A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 515W euEccn: NLR Verlustleistung: 515W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EconoPACK 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 100A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FS100R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515W 35-Pin ECONO3-4 Tray |
на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FS100R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 100A 515000mW 35-Pin ECONO3-4 Tray |
товар відсутній |
||||||||||
FS100R12KT4GBOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | IGBT Modules LOW POWER ECONO |
товар відсутній |