FS75R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon TechnologiesDescription: IGBT MOD 1200V 107A 375W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 107 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 375 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.3 nF @ 25 V
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 4818.37 грн |
| 15+ | 4204.85 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FS75R12W2T4BOMA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FS75R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.85 V, 375 W, 175 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V, Dauer-Kollektorstrom: 75A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Einpressmontage, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V, Verlustleistung Pd: 375W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: EasyPACK, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke], productTraceability: Yes-Date/Lot Code, DC-Kollektorstrom: 75A, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції FS75R12W2T4BOMA1 за ціною від 5653.63 грн до 5653.63 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
FS75R12W2T4BOMA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FS75R12W2T4BOMA1 - IGBT-Modul, Sechserpack [Vollbrücke], 75 A, 1.85 V, 375 W, 175 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V Dauer-Kollektorstrom: 75A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V Verlustleistung Pd: 375W euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: EasyPACK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Sechserpack [Vollbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 75A Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
FS75R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 107A 375000mW 35-Pin EASY2B-1 Tray |
товар відсутній |
|||||
 |
FS75R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Trans IGBT Module N-CH 1200V 107A 375W 35-Pin EASY2B-1 Tray |
товар відсутній |
|||||
| FS75R12W2T4BOMA1 | Виробник : Infineon Technologies |
Multimedia Misc LOW POWER EASY |
товар відсутній |