FZ400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 650A 2250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 650A 2250W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: Module
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 650 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2250 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 28 nF @ 25 V
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 10092.43 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ400R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 125 °C, Module, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125, IGBT-Anschluss: Lötfahne, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7, Verlustleistung Pd: 2.25, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2, Produktpalette: Standard 62mm, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 650, Betriebstemperatur, max.: 125, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
Інші пропозиції FZ400R12KE3HOSA1 за ціною від 10974.74 грн до 10974.74 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZ400R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ400R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 650 A, 1.7 V, 2.25 kW, 125 °C, Module IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125 IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7 Verlustleistung Pd: 2.25 Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2 Produktpalette: Standard 62mm IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 650 Betriebstemperatur, max.: 125 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||
FZ400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 650A 2250000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |
||||||
FZ400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 650A 2250mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |
||||||
FZ400R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 650A 2250mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |