FZ600R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Виробник: Infineon Technologies
Description: IGBT MOD 1200V 900A 2800W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 42 nF @ 25 V
Description: IGBT MOD 1200V 900A 2800W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Single
Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: Module
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 900 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 2800 W
Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 42 nF @ 25 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 11652.7 грн |
10+ | 10509.6 грн |
30+ | 10114.53 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис FZ600R12KE3HOSA1 Infineon Technologies
Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Module, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Platte, rohsCompliant: YES, IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop], Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V, Dauer-Kollektorstrom: 900A, usEccn: EAR99, IGBT-Anschluss: Stiftbolzen, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V, Verlustleistung Pd: 2.8kW, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8kW, Bauform - Transistor: Module, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV, Produktpalette: Standard 62mm C, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV, IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, DC-Kollektorstrom: 900A, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції FZ600R12KE3HOSA1 за ціною від 11859.99 грн до 12662.53 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - FZ600R12KE3HOSA1 - IGBT-Modul, Einfach, Schalter, 900 A, 1.7 V, 2.8 kW, 125 °C, Module tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 3 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 125°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V Dauer-Kollektorstrom: 900A usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V Verlustleistung Pd: 2.8kW euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8kW Bauform - Transistor: Module Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Produktpalette: Standard 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Einfach, Schalter productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal DC-Kollektorstrom: 900A Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 549 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800000mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |
||||||||||
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |
||||||||||
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 900A 2800mW Automotive 4-Pin 62MM-2 Tray |
товар відсутній |
||||||||||
FZ600R12KE3HOSA1 | Виробник : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: IGBT modules Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 600A; AG-62MM Type of module: IGBT Semiconductor structure: single transistor Max. off-state voltage: 1.2kV Case: AG-62MM Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 600A Pulsed collector current: 1.2kA Power dissipation: 2.8kW |
товар відсутній |