G1K1P06HH

G1K1P06HH Goford Semiconductor


GOFORD-G1K1P06HH.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
на замовлення 4550 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+23.11 грн
16+ 17.52 грн
100+ 10.51 грн
500+ 9.13 грн
1000+ 6.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G1K1P06HH Goford Semiconductor

P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223.

Інші пропозиції G1K1P06HH за ціною від 6.55 грн до 6.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G1K1P06HH Виробник : GOFORD Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf P-60V,-4.5A,RD(max) Less Than 110mOhm at -10V,VTH -2V to -4V, SOT-223
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
G1K1P06HH G1K1P06HH Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G1K1P06HH.pdf Description: P-60V,-4.5A,RD(MAX)<110M@-10V,VT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 981 pF @ 30 V
товар відсутній