Продукція > GOFORD SEMICONDUCTOR > G1K8P06S2
G1K8P06S2

G1K8P06S2 Goford Semiconductor

GOFORD-G1K8P06S2.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
на замовлення 3958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10+31.05 грн
12+ 23.37 грн
100+ 14.01 грн
500+ 12.17 грн
1000+ 8.28 грн
2000+ 7.62 грн
Мінімальне замовлення: 10
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G1K8P06S2 Goford Semiconductor

Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width), Mounting Type: Surface Mount, Configuration: 2 P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 2W (Tc), Drain to Source Voltage (Vdss): 60V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA, Supplier Device Package: 8-SOP.

Інші пропозиції G1K8P06S2

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G1K8P06S2 G1K8P06S2 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G1K8P06S2.pdf Description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 594pF @ 30V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 1A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.3nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
товар відсутній