G2014 Goford Semiconductor

---

Виробник: Goford Semiconductor
Description: N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-DFN (2x2)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V

на замовлення 9000 шт:

---

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна без ПДВ
3000+	7.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

купити

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис G2014 Goford Semiconductor

Інші пропозиції G2014 за ціною від 3.47 грн до 31.78 грн

Фото	Назва	Виробник	Інформація	Доступність розгорнути згорнути всі	Ціна без ПДВ
	G2014	Виробник : Heyco	Bumpers / Feet RGB 188-338-6 BLK .338X.17	на замовлення 28741 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 31+ 10.13 грн 38+  8.29 грн 100+  5.54 грн 500+  4.67 грн 1000+  3.94 грн 2000+  3.61 грн 10000+  3.47 грн Мінімальне замовлення: 31 купити
	G2014	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V	на замовлення 11960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 10+ 31.78 грн 11+  26.29 грн 100+  19.63 грн 500+  14.47 грн 1000+  11.18 грн Мінімальне замовлення: 10 купити
	G2014	Виробник : GOFORD Semiconductor	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів)	Кількість Ціна без ПДВ 3000+ 7.57 грн Мінімальне замовлення: 3000 купити
	G2014	Виробник : Goford Semiconductor	Description: N20V,RD(MAX)<9M@4.5V,RD(MAX)<11M Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 900mV @ 250µA Supplier Device Package: 6-DFN (2x2) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 10 V	товар відсутній	купити