G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V
Power Dissipation (Max): 567W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V
на замовлення 451 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 4124.8 грн |
10+ | 3698.51 грн |
25+ | 3594.75 грн |
100+ | 3231.69 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R12MT12K GeneSiC Semiconductor
Description: 1200V 12M TO-247-4 G3R SIC MOSFE, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 157A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 100A, 18V, Power Dissipation (Max): 567W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 50mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 288 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9335 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R12MT12K за ціною від 3284.39 грн до 4801.78 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G3R12MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1200V 12mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 2371 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
G3R12MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
G3R12MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
на замовлення 246 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||
G3R12MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | 1200V 12m TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
товар відсутній |
||||||||||||||
G3R12MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |