G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V
Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V
на замовлення 3407 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1498.35 грн |
10+ | 1325.91 грн |
25+ | 1282.37 грн |
100+ | 1143.35 грн |
250+ | 1105.48 грн |
500+ | 1077.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R30MT12K GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 90A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 50A, 15V, Power Dissipation (Max): 400W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 12mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): ±15V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 155 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3901 pF @ 800 V.
Інші пропозиції G3R30MT12K за ціною від 1108.12 грн до 2300.43 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | MOSFET 1200V 30mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1057 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 400W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC Semiconductor | Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||
G3R30MT12K | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 63A; Idm: 200A; 400W Type of transistor: N-MOSFET Technology: G3R™; SiC Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 63A Pulsed drain current: 200A Power dissipation: 400W Case: TO247-4 Gate-source voltage: -5...15V On-state resistance: 30mΩ Mounting: THT Gate charge: 155nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: Kelvin terminal |
товар відсутній |