G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 800 V
на замовлення 8548 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 316.31 грн |
| 10+ | 270.38 грн |
| 25+ | 257.5 грн |
| 100+ | 224.79 грн |
| 250+ | 214.54 грн |
| 500+ | 207.31 грн |
| 1000+ | 196.21 грн |
| 2500+ | 187.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R350MT12D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 74W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pins, Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції G3R350MT12D за ціною від 200.28 грн до 456.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 350mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 4577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R350MT12D | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R350MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 11 A, 1.2 kV, 0.35 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 74W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: G3R productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.35ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 12nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 16A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A On-state resistance: 0.35Ω |
на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 8A; Idm: 16A; 74W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 74W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 12nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 16A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 8A On-state resistance: 0.35Ω кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 457 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R350MT12D Код товару: 199077 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
G3R350MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |