G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Виробник: GeneSiC SEMICONDUCTORCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 333W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 106nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 140A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 50A
On-state resistance: 40mΩ
на замовлення 1133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 1014.79 грн |
| 3+ | 891.54 грн |
| 30+ | 879.02 грн |
| 120+ | 853.99 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R40MT12D GeneSiC SEMICONDUCTOR
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 71A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 333W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 333W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).
Інші пропозиції G3R40MT12D за ціною від 820.8 грн до 3269.06 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R40MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: SIC MOSFET N-CH 71A TO247-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 71A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 48mOhm @ 35A, 15V Power Dissipation (Max): 333W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 10mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 106 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2929 pF @ 800 V |
на замовлення 1165 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R40MT12D | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 50A; Idm: 140A; 333W Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 333W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Gate charge: 106nC Technology: G3R™; SiC Kind of channel: enhanced Gate-source voltage: -5...15V Pulsed drain current: 140A Case: TO247-3 Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 50A On-state resistance: 40mΩ кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R40MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R40MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 1200V 40mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 1916 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R40MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
G3R40MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R40MT12D | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R40MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 71 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 71A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 333W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 333W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.04ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm SVHC: Lead (19-Jan-2021) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R40MT12D Код товару: 177790 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
| G3R40MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
|
|
G3R40MT12D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |