G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: 750V 60M TO-247-3 G3R SIC MOSFET
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Vgs (Max): +20V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 750 V
на замовлення 2868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 672.56 грн |
| 10+ | 587.8 грн |
| 25+ | 565.45 грн |
| 100+ | 500.69 грн |
| 250+ | 481.49 грн |
| 500+ | 467.7 грн |
| 1000+ | 447.06 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис G3R60MT07D GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 750V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 43A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 171W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції G3R60MT07D за ціною від 467.64 грн до 808.5 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
MOSFET 650V 60mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET |
на замовлення 3041 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
G3R60MT07D | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R60MT07D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 43 A, 750 V, 0.06 ohm, TO-247 tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 750V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 171W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: G3R Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
G3R60MT07D Код товару: 197744 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||||
 |
G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
| G3R60MT07D | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide MOSFET N-Channel Enhancement Mode |
товар відсутній |