Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R75MT12D
G3R75MT12D

G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor

G3R75MT12D.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 1918 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+700.51 грн
10+ 607.46 грн
25+ 582.44 грн
100+ 513.45 грн
250+ 492.36 грн
500+ 477.3 грн
1000+ 454.65 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R75MT12D GeneSiC Semiconductor

Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 41A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins, euEccn: NLR, Verlustleistung: 207W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: G3R, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 15V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (19-Jan-2021).

Інші пропозиції G3R75MT12D за ціною від 484.02 грн до 993.07 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+755.15 грн
10+ 674.81 грн
25+ 641.13 грн
100+ 575.21 грн
250+ 505.89 грн
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R75MT12D-2449867.pdf MOSFET 1200V 75mohm TO-247-3 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1866 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+760.97 грн
10+ 647.99 грн
30+ 528.75 грн
120+ 506.72 грн
270+ 492.03 грн
510+ 484.02 грн
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR 3189219.pdf Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - G3R75MT12D - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 41 A, 1.2 kV, 0.075 ohm, TO-247
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 41A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.69V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
euEccn: NLR
Verlustleistung: 207W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: G3R
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 1069 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+778.88 грн
5+ 705.49 грн
10+ 632.09 грн
50+ 578.6 грн
100+ 527.03 грн
250+ 519.33 грн
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+813.23 грн
17+ 726.72 грн
25+ 690.45 грн
100+ 619.45 грн
250+ 544.8 грн
Мінімальне замовлення: 15
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
на замовлення 281 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+827.56 грн
2+ 610.59 грн
4+ 577.21 грн
30+ 568.17 грн
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12D.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 207W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 54nC
Technology: G3R™; SiC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: -5...15V
Pulsed drain current: 80A
Case: TO247-3
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
On-state resistance: 75mΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 281 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+993.07 грн
2+ 760.89 грн
4+ 692.65 грн
30+ 681.8 грн
G3R75MT12D
Код товару: 177791 		G3R75MT12D.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній
G3R75MT12D G3R75MT12D Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12d.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
товар відсутній