Продукція > GENESIC SEMICONDUCTOR > G3R75MT12K
G3R75MT12K

G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor

G3R75MT12K.pdf Виробник: GeneSiC Semiconductor
Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-4
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V
Power Dissipation (Max): 207W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA
Supplier Device Package: TO-247-4
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): +22V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V
на замовлення 710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+716.76 грн
10+ 621.96 грн
25+ 596.35 грн
100+ 525.99 грн
250+ 504.35 грн
500+ 489.32 грн
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G3R75MT12K GeneSiC Semiconductor

Description: SIC MOSFET N-CH 41A TO247-4, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-4, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 20A, 15V, Power Dissipation (Max): 207W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.69V @ 7.5mA, Supplier Device Package: TO-247-4, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, Vgs (Max): +22V, -10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 54 nC @ 15 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1560 pF @ 800 V.

Інші пропозиції G3R75MT12K за ціною від 496.12 грн до 1097.26 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor G3R75MT12K-2449503.pdf MOSFET 1200V 75mohm TO-247-4 G3R SiC MOSFET
на замовлення 1846 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+778.48 грн
10+ 690.77 грн
30+ 576.7 грн
120+ 541.41 грн
270+ 519.43 грн
510+ 503.45 грн
1020+ 496.12 грн
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+914.38 грн
2+ 601.42 грн
4+ 568.82 грн
120+ 563.96 грн
G3R75MT12K G3R75MT12K Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR G3R75MT12K.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 29A; Idm: 80A; 207W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: G3R™; SiC
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 29A
Pulsed drain current: 80A
Power dissipation: 207W
Case: TO247-4
Gate-source voltage: -5...15V
On-state resistance: 75mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 54nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 539 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+1097.26 грн
2+ 749.47 грн
4+ 682.58 грн
120+ 676.76 грн
G3R75MT12K Виробник : GeneSiC Semiconductor g3r75mt12k.pdf Silicon Carbide MOSFET N Channel Enhancement Mode
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)