G6P06

G6P06 Goford Semiconductor


GOFORD-G6P06.pdf Виробник: Goford Semiconductor
Description: P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+9.22 грн
8000+ 8.43 грн
12000+ 7.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис G6P06 Goford Semiconductor

Description: P60V,RD(MAX).

Інші пропозиції G6P06 за ціною від 8.33 грн до 27.37 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
G6P06 G6P06 Виробник : Goford Semiconductor GOFORD-G6P06.pdf Description: P60V,RD(MAX)<96M@-10V,RD(MAX)<14
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 96mOhm @ 4A, 10V
FET Feature: Standard
Power Dissipation (Max): 4.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 930 pF @ 30 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
11+27.37 грн
13+ 22.48 грн
100+ 15.65 грн
500+ 11.47 грн
1000+ 9.32 грн
2000+ 8.33 грн
Мінімальне замовлення: 11