GBPC1202W-E4/51 Vishay General Semiconductor
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 364.23 грн |
| 10+ | 301.74 грн |
| 100+ | 205.26 грн |
| 200+ | 198.61 грн |
| 500+ | 188.65 грн |
| 1000+ | 177.36 грн |
| 2000+ | 174.04 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GBPC1202W-E4/51 Vishay General Semiconductor
Description: BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-W, Packaging: Bulk, Package / Case: 4-Square, GBPC-W, Mounting Type: Through Hole, Diode Type: Single Phase, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: Standard, Supplier Device Package: GBPC-W, Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V, Current - Average Rectified (Io): 12 A, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V.
Інші пропозиції GBPC1202W-E4/51
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| GBPC1202W-E4/51 | Виробник : Vishay General Semiconductor - Diodes Division |
 Description: BRIDGE RECT 1P 200V 12A GBPC-WPackaging: Bulk Package / Case: 4-Square, GBPC-W Mounting Type: Through Hole Diode Type: Single Phase Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: Standard Supplier Device Package: GBPC-W Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V Current - Average Rectified (Io): 12 A Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 6 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V |
товар відсутній |