GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor
на замовлення 836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 280.54 грн |
| 10+ | 243.68 грн |
| 25+ | 201.27 грн |
| 100+ | 186.66 грн |
| 250+ | 177.36 грн |
| 500+ | 170.71 грн |
| 1000+ | 164.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10MPS12A GeneSiC Semiconductor
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-220, Kapazitive Gesamtladung: 32nC, rohsCompliant: Y-EX, Diodenmontage: Durchsteckmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: MPS Series, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції GD10MPS12A за ціною від 184.75 грн до 355.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
 Category: THT Schottky diodesDescription: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC |
на замовлення 47 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
GD10MPS12A | Виробник : GENESIC SEMICONDUCTOR |
Description: GENESIC SEMICONDUCTOR - GD10MPS12A - SiC-Schottky-Diode, MPS Series, Einfach, 1.2 kV, 24 A, 32 nC, TO-220 tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-220 Kapazitive Gesamtladung: 32nC rohsCompliant: Y-EX Diodenmontage: Durchsteckmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 24A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1.2kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: MPS Series productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 487 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
Category: THT Schottky diodes Description: Diode: Schottky rectifying; SiC; THT; 1.2kV; 16A; TO220-2; tube Max. off-state voltage: 1.2kV Max. load current: 33A Load current: 16A Case: TO220-2 Mounting: THT Kind of package: tube Max. forward impulse current: 64A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: MPS Type of diode: Schottky rectifying Max. forward voltage: 1.9V Technology: SiC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 47 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
||||||||
| GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
1200V 10A TO-220-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||
| GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Silicon Carbide Schottky Diode |
товар відсутній |
||||||||||
 |
GD10MPS12A | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 25A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 367pF @ 1V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 25A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1200 V |
товар відсутній |