GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor
Виробник: GeneSiC SemiconductorDescription: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 26A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V
на замовлення 726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 541.79 грн |
| 10+ | 466.43 грн |
| 25+ | 445.97 грн |
| 100+ | 390.95 грн |
| 250+ | 374.16 грн |
| 500+ | 361.57 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис GD10MPS17H GeneSiC Semiconductor
Description: DIODE SIL CARB 1.7KV 26A TO247-2, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: No Recovery Time > 500mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 0 ns, Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky, Capacitance @ Vr, F: 721pF @ 1V, 1MHz, Current - Average Rectified (Io): 26A, Supplier Device Package: TO-247-2, Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1700 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.8 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 20 µA @ 1700 V.
Інші пропозиції GD10MPS17H за ціною від 425.13 грн до 1194.64 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC Semiconductor |
Schottky Diodes & Rectifiers 1700V 10A TO-247-2 SiC Schottky MPS |
на замовлення 7350 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||
| GD10MPS17H | Виробник : GeneSiC SEMICONDUCTOR |
GD10MPS17H THT Schottky diodes |
на замовлення 2 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|